ISC4356AS1 Todos los transistores

 

ISC4356AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISC4356AS1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: SC72

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ISC4356AS1 Datasheet (PDF)

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ISC4356AS1 ISC4356AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC4356AS1 FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC4356AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed relay drive application. FEATURE 0.1 High voltage. VCEo=60V High collector current. IC=2A 0.45 Low VCE(sat) VCE(sat)=0.5V max (@IC=1A, IB=50mA)

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SB496 | GC512 | 2SD1267A | UMY3N | DDC114EH | 2SD1274 | PMSS3906

 

 
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