ISC4356AS1 Todos los transistores

 

ISC4356AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISC4356AS1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: SC72
     - Selección de transistores por parámetros

 

ISC4356AS1 Datasheet (PDF)

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ISC4356AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC4356AS1 FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC4356AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed relay drive application. FEATURE 0.1 High voltage. VCEo=60V High collector current. IC=2A 0.45 Low VCE(sat) VCE(sat)=0.5V max (@IC=1A, IB=50mA)

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CS9103 | 3DG12 | 2N6560 | MMBT4401M3 | 2N651A | NSBA113EDXV6

 

 
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