ISC4356AS1 Todos los transistores

 

ISC4356AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISC4356AS1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: SC72
 

 Búsqueda de reemplazo de ISC4356AS1

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ISC4356AS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  isahaya
 isc4356as1.pdf pdf_icon

ISC4356AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC4356AS1 FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC4356AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed relay drive application. FEATURE 0.1 High voltage. VCEo=60V High collector current. IC=2A 0.45 Low VCE(sat) VCE(sat)=0.5V max (@IC=1A, IB=50mA)

Otros transistores... KZT591 , KZT649 , KZT749 , KZT789A , KZT849 , KZT851 , KZT853 , ISC3581AS1 , TIP42 , ISC6046AU1 , ISC6053AM1 , ISC6053AU1 , ISD1447AS1 , IT120 , IT120A , ISC3242AS1 , ISC3244AS1 .

History: AC573 | DRC3124E | UN921N | TMPT4126 | DTA123YEFRA | FHTA8050Y-ME | DMC56401

 

 
Back to Top

 


 
.