Справочник транзисторов. ISC4356AS1

 

Биполярный транзистор ISC4356AS1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISC4356AS1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: SC72
 

 Аналог (замена) для ISC4356AS1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISC4356AS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  isahaya
 isc4356as1.pdf pdf_icon

ISC4356AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC4356AS1 FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC4356AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed relay drive application. FEATURE 0.1 High voltage. VCEo=60V High collector current. IC=2A 0.45 Low VCE(sat) VCE(sat)=0.5V max (@IC=1A, IB=50mA)

Другие транзисторы... KZT591 , KZT649 , KZT749 , KZT789A , KZT849 , KZT851 , KZT853 , ISC3581AS1 , TIP42 , ISC6046AU1 , ISC6053AM1 , ISC6053AU1 , ISD1447AS1 , IT120 , IT120A , ISC3242AS1 , ISC3244AS1 .

 

 
Back to Top

 


 
.