ISA1399AS1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISA1399AS1  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SC72

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ISA1399AS1 datasheet

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ISA1399AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1399AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1399AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor 4.0 designed with High collector current, high voltage. Complementary with ISA3581AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM=600mA High gain band wi

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