ISA1399AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISA1399AS1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 55 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SC72
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ISA1399AS1 Datasheet (PDF)
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SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1399AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1399AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor 4.0 designed with High collector current, high voltage. Complementary with ISA3581AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM=600mA High gain band wi
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