ISA1399AS1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ISA1399AS1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SC72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ISA1399AS1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISA1399AS1 даташит

 ..1. Size:145K  isahaya
 isa1399as1.pdf pdf_icon

ISA1399AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISA1399AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISA1399AS1 is a silicon PNP epitaxial type transistor 4.0 designed with High collector current, high voltage. Complementary with ISA3581AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM=600mA High gain band wi

Другие транзисторы: IMB10AFRA, IMB11AFRA, IR413, ISA1235AC1, ISA1283AS1, ISA1284AS1, ISA1286AS1, ISA1287AS1, BC547B, ISA1530AC1, ISA1602AM1, ISA1603AM1, ISA1989AU1, ISA1993AS1, ISA1995AS1, ISA2166AM1, ISA2166AU1