ISB1035AS1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISB1035AS1  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 55

Encapsulados: SC72

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ISB1035AS1 datasheet

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ISB1035AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISB1035AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISB1035AS1 is a resin sealed silicon PNP epitaxial type 4.0 transistor. It is designed for low frequency power amplify application. Complementary with ISD1447AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A Hi

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