ISB1035AS1 Todos los transistores

 

ISB1035AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISB1035AS1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: SC72
 

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ISB1035AS1 Datasheet (PDF)

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ISB1035AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISB1035AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISB1035AS1 is a resin sealed silicon PNP epitaxial type 4.0 transistor. It is designed for low frequency power amplify application. Complementary with ISD1447AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A Hi

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History: 2N844 | 2SC5838 | FTR168

 

 
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