ISB1035AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISB1035AS1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: SC72
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar ISB1035AS1
ISB1035AS1 Datasheet (PDF)
isb1035as1.pdf
SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISB1035AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISB1035AS1 is a resin sealed silicon PNP epitaxial type 4.0 transistor. It is designed for low frequency power amplify application. Complementary with ISD1447AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A Hi
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History: KSA708
History: KSA708
Liste
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