ISB1035AS1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ISB1035AS1  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: SC72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для ISB1035AS1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISB1035AS1 даташит

 ..1. Size:211K  isahaya
 isb1035as1.pdf pdf_icon

ISB1035AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISB1035AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISB1035AS1 is a resin sealed silicon PNP epitaxial type 4.0 transistor. It is designed for low frequency power amplify application. Complementary with ISD1447AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A Hi

Другие транзисторы: ISA1603AM1, ISA1989AU1, ISA1993AS1, ISA1995AS1, ISA2166AM1, ISA2166AU1, ISA2188AM1, ISA2188AU1, TIP120, IMB2AFRA, IMB3AFRA, IMD10AMT1G, IMD2AFRA, IMD3AFRA, IMD6AFRA, IMD9AFRA, IMH11AFRA