Справочник транзисторов. ISB1035AS1

 

Биполярный транзистор ISB1035AS1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISB1035AS1
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: SC72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ISB1035AS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  isahaya
 isb1035as1.pdf pdf_icon

ISB1035AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISB1035AS1 FOR LOW FREQUENCY POWOR AMPLIFY APPLICATIONSILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISB1035AS1 is a resin sealed silicon PNP epitaxial type 4.0 transistor. It is designed for low frequency power amplify application. Complementary with ISD1447AS1. FEATURE 0.1 High collector current. ICM= 1.5A Hi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2N711A | BCW37 | BFX13 | BD355C | 2SC3356B | 2N2165

 

 
Back to Top

 


 
.