IMH2AFRA Todos los transistores

 

IMH2AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH2AFRA
   Código: H2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC74
     - Selección de transistores por parámetros

 

IMH2AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1331K  rohm
 emh2fha umh2nfha imh2afra.pdf pdf_icon

IMH2AFRA

EMH2 / UMH2N / IMH2AEMH2FHA / UMH2NFHA / IMH2AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.)100mA (2) (2) (3) (3) R147kWEMH2 UMH2N EMH2FHA UMH2NFHAR2(SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6

 9.1. Size:62K  rohm
 umh2n imh2a h2 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMH2AFRA

TransistorsGeneral purpose(dual digital transistors)UMH2N / IMH2AFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Two DTC144Es chips in a UMT orSMT package.2) Mounting possible with UMT3 orSMT3 automatic mounting ma-chines.3) Transistor elements are indepen-dent, eliminating interference.4) Mounting cost and area can be cutin half.FStructureEpitaxial planar typeNPN s

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BC848CW-G | 3DG2413K | 2SA1706T-AN | 2SA795A | RT3YB7M | 2SA815

 

 
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