IMH2AFRA Todos los transistores

 

IMH2AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH2AFRA
   Código: H2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 47 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 68
   Paquete / Cubierta: SC74

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IMH2AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1331K  rohm
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IMH2AFRA

EMH2 / UMH2N / IMH2A EMH2FHA / UMH2NFHA / IMH2AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) 100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMH2 UMH2N EMH2FHA UMH2NFHA R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6

 9.1. Size:62K  rohm
 umh2n imh2a h2 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMH2AFRA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH2N / IMH2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC144Es chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN s

Otros transistores... IMH11AFRA , IMH14AFRA , IMH15A , IMH15AFRA , IMH1AFRA , IMH20TR1G , IMH21 , IMH23 , 2N5401 , IMH3AFRA , IMH4AFRA , IMH5AFRA , INC6001AC1 , INC6002AC1 , INC6005AC1 , INC6005AP1 , INC6006AC1 .

History: NSS12100M3 | CHT4672XGP | CHT5551GP | 3CG6517 | 2SC4710 | CHDTC623TUGP | 2SC4683

 

 
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