IMH2AFRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IMH2AFRA  📄📄 

Маркировка: H2

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC74

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для IMH2AFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

IMH2AFRA даташит

 ..1. Size:1331K  rohm
 emh2fha umh2nfha imh2afra.pdf pdf_icon

IMH2AFRA

EMH2 / UMH2N / IMH2A EMH2FHA / UMH2NFHA / IMH2AFRA Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) VCC (5) 50V (4) (4) (1) (1) IC(MAX.) 100mA (2) (2) (3) (3) R1 47kW EMH2 UMH2N EMH2FHA UMH2NFHA R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6

 9.1. Size:62K  rohm
 umh2n imh2a h2 sot23-6sot363.pdf pdf_icon

IMH2AFRA

Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH2N / IMH2A FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Two DTC144Es chips in a UMT or SMT package. 2) Mounting possible with UMT3 or SMT3 automatic mounting ma- chines. 3) Transistor elements are indepen- dent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. FStructure Epitaxial planar type NPN s

Другие транзисторы: IMH11AFRA, IMH14AFRA, IMH15A, IMH15AFRA, IMH1AFRA, IMH20TR1G, IMH21, IMH23, 2N5401, IMH3AFRA, IMH4AFRA, IMH5AFRA, INC6001AC1, INC6002AC1, INC6005AC1, INC6005AP1, INC6006AC1