IMH8AFRA Todos los transistores

 

IMH8AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH8AFRA
   Código: H8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC74

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IMH8AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  rohm
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IMH8AFRA

UMH8NFHA / IMH8AFRA UMH8N / IMH8A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline UMT6 SMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (4) (6) (5) (5) (6) (4) VCEO 50V (3) (1) IC 100mA (2) (2) (1) (3) R1 10kW UMH8NFHA IMH8AFRA UMH8N IMH8A SOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74) lFeatures lInner circuit 1) Built-In Bia

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IMH8AFRA

UMH8N / IMH8A Transistors General purpose (dual digital transistors) UMH8N / IMH8A External dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. UMH8N 1.25 Equivalent circuits 2.1 UMH8N IMH8A (3) (2) (1) (4) (5) (6) 0.1Min. R1 R1 ROHM UMT6 Each lead has same dimensions EIAJ SC-88 R1 R1 (4) (5) (6) (3) (2) (1) R1=10k R1=10k

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IMH8AFRA

(96-448-A114T)

Otros transistores... INC6005AP1 , INC6006AC1 , INC6006AP1 , INC6006AS1 , INC6007AP1 , INC6008AC1 , INC6008AP1 , IMH6AFRA , TIP42C , IMH9AFRA , IMT18 , IMT1AFRA , IMT2AFRA , IMT3AFRA , IMT4FRA , IMX25 , IMX2FRA .

History: CHDTC114EKPT | CHEMD2GP | 2SB791 | CHDTC623TKGP | IMD14 | CHEMG3GP | IMH20TR1G

 

 
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