IMH8AFRA Todos los transistores

 

IMH8AFRA . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IMH8AFRA
   Código: H8
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SC74
     - Selección de transistores por parámetros

 

IMH8AFRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  rohm
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IMH8AFRA

UMH8NFHA / IMH8AFRAUMH8N / IMH8ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4)(6) (5) (5) (6) (4)VCEO50V(3)(1)IC100mA (2) (2) (1) (3)R110kWUMH8NFHA IMH8AFRAUMH8N IMH8ASOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74)lFeatures lInner circuit1) Built-In Bia

 9.1. Size:39K  rohm
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IMH8AFRA

UMH8N / IMH8ATransistors General purpose (dual digital transistors) UMH8N / IMH8A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTpackage. UMH8N1.25 Equivalent circuits2.1UMH8NIMH8A(3) (2) (1)(4) (5) (6)0.1Min.R1R1ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsEIAJ : SC-88R1R1(4) (5) (6)(3) (2) (1)R1=10k R1=10k

 9.2. Size:48K  rohm
 umh8n imh8a h8 sot363 sot23-6.pdf pdf_icon

IMH8AFRA

(96-448-A114T)

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PBSS5240X | 2N5034 | TFS4081 | RT1P430M | 2SA808A | FTD1898

 

 
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