Биполярный транзистор IMH8AFRA - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: IMH8AFRA
Маркировка: H8
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC74
IMH8AFRA Datasheet (PDF)
umh8nfha imh8afra.pdf
UMH8NFHA / IMH8AFRAUMH8N / IMH8ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineUMT6 SMT6Parameter Tr1 and Tr2(4)(6) (5) (5) (6) (4)VCEO50V(3)(1)IC100mA (2) (2) (1) (3)R110kWUMH8NFHA IMH8AFRAUMH8N IMH8ASOT-353 (SC-88) SOT-457 (SC-74)lFeatures lInner circuit1) Built-In Bia
umh8n umh8n imh8a.pdf
UMH8N / IMH8ATransistors General purpose (dual digital transistors) UMH8N / IMH8A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTpackage. UMH8N1.25 Equivalent circuits2.1UMH8NIMH8A(3) (2) (1)(4) (5) (6)0.1Min.R1R1ROHM : UMT6 Each lead has same dimensionsEIAJ : SC-88R1R1(4) (5) (6)(3) (2) (1)R1=10k R1=10k
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050