TCSA562O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TCSA562O
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.63 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar TCSA562O
TCSA562O Datasheet (PDF)
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TCSA562*TO-92 PLASTIC PACKAGEPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR ROHSAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.BBCCEEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector-Base Voltage 35 VVCEOCollector-Emitter Voltage 30 VVEBOEmitter-Base Voltage 5 VICCollector Current 500 mAIBBase Current 100 mA
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
