TCSA562O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TCSA562O

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.63 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO92

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TCSA562O datasheet

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TCSA562O

TCSA562* TO-92 PLASTIC PACKAGE PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR ROHS Audio Frequency Low Power Amplifier Applications. B B C C E E ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector-Base Voltage 35 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 500 mA IB Base Current 100 mA

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