Справочник транзисторов. TCSA562O

 

Биполярный транзистор TCSA562O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TCSA562O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для TCSA562O

 

 

TCSA562O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:448K  rectron
tcsa562.pdf

TCSA562O TCSA562O

TCSA562*TO-92 PLASTIC PACKAGEPNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR ROHSAudio Frequency Low Power Amplifier Applications.BBCCEEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCBOCollector-Base Voltage 35 VVCEOCollector-Emitter Voltage 30 VVEBOEmitter-Base Voltage 5 VICCollector Current 500 mAIBBase Current 100 mA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top