TFJD1760 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TFJD1760

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 45 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TO252

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TFJD1760 datasheet

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TFJD1760

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/6 BVCEO 50V IC 3A TFJD1760 RCESAT 125m typ. Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1184J3 Pb-free package Symbol Outline TFJD1760 TO-252 B Base B C E C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Para

Otros transistores... T10N60GP, T11, TFH1036, TFH1037, TFH2411, TFH2412, TFH2444, TFH45, TIP42, TTC004B, TTC011B, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, TTC3710B, TTC5460B