TFJD1760. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFJD1760

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для TFJD1760

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFJD1760 даташит

 ..1. Size:413K  tinfar
 tfjd1760.pdf pdf_icon

TFJD1760

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/6 BVCEO 50V IC 3A TFJD1760 RCESAT 125m typ. Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1184J3 Pb-free package Symbol Outline TFJD1760 TO-252 B Base B C E C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Para

Другие транзисторы: T10N60GP, T11, TFH1036, TFH1037, TFH2411, TFH2412, TFH2444, TFH45, TIP42, TTC004B, TTC011B, TTC014, TTC015B, TTC016, TTC017, TTC3710B, TTC5460B