Справочник транзисторов. TFJD1760

 

Биполярный транзистор TFJD1760 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TFJD1760
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO252
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TFJD1760 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  tinfar
tfjd1760.pdfpdf_icon

TFJD1760

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No: 1/6 BVCEO 50V IC 3A TFJD1760RCESAT 125m typ.Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.25 V (typical), at IC / IB = 2A / 0.2A Excellent current gain characteristics Complementary to BTB1184J3 Pb-free package Symbol OutlineTFJD1760 TO-252BBaseB C E CCollectorEEmitterAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)Para

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.