TFN1036 Todos los transistores

 

TFN1036 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TFN1036
   Código: 2T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TFN1036 Datasheet (PDF)

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TFN1036

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/6TFN1036 Description The TFN1036 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Large IC , IC(Max)= -0.6A Low VCE(sat), ideal for low-voltage operation. Complementary to TFN2411. Pb-free package Symbol Outline TFN1036 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute

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TFN1036

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/4TFN1037 50V 150mA PNP TRANSISTOR Description The TFN1037 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent hFE linearity Complementary to TFN2412. Equivalent CircuitTFN1037 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter Symbol

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History: 2SA1018 | 2N4296 | 2N3152 | BC182K | 2N3394 | DWC311 | BD355C

 

 
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