TFN1036. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN1036

Маркировка: 2T

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN1036

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN1036 даташит

 ..1. Size:324K  tinfar
 tfn1036.pdf pdf_icon

TFN1036

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/6 TFN1036 Description The TFN1036 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Large IC , IC(Max)= -0.6A Low VCE(sat), ideal for low-voltage operation. Complementary to TFN2411. Pb-free package Symbol Outline TFN1036 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute

 8.1. Size:128K  tinfar
 tfn1037.pdf pdf_icon

TFN1036

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN1037 50V 150mA PNP TRANSISTOR Description The TFN1037 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose amplification. Excellent hFE linearity Complementary to TFN2412. Equivalent Circuit TFN1037 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol

Другие транзисторы: TTC017, TTC3710B, TTC5460B, TTD1409B, TTD1410B, TTD1415B, TTD1509B, TFM1759, D965, TFN1037, TFN1386L, TFN1424, TFN1514, TFN1590, TFN1721, TFN1759, TFN1768