TFN5177 Todos los transistores

 

TFN5177 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TFN5177
   Código: T1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 5 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TFN5177 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  tinfar
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TFN5177

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/3TFN5177 Description The TFN5177 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol OutlineTFN5177 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Features Low current consumption and high gain: S21e2 = 12dB ( typ. ) at VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz S21e2 = 11dB ( t

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KSE181 | HUN5130 | HA9531 | K129NT1D-1 | MMUN2235 | GES3644 | BUR20

 

 
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