TFN5177 Todos los transistores

 

TFN5177 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TFN5177
   Código: T1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 5 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TFN5177 Datasheet (PDF)

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TFN5177

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/3TFN5177 Description The TFN5177 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol OutlineTFN5177 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Features Low current consumption and high gain: S21e2 = 12dB ( typ. ) at VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz S21e2 = 11dB ( t

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