TFN5177 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TFN5177

Código: T1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 5 V

Tensión colector-emisor (Vce): 3 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: SOT23

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TFN5177 datasheet

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TFN5177

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/3 TFN5177 Description The TFN5177 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline TFN5177 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Features Low current consumption and high gain S21e 2 = 12dB ( typ. ) at VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz S21e 2 = 11dB ( t

Otros transistores... TS13003CK, TS13003CT, TS13003HVCT, TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TIP41, TFN807, TFN817, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51