Справочник транзисторов. TFN5177

 

Биполярный транзистор TFN5177 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TFN5177
   Маркировка: T1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TFN5177 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  tinfar
 tfn5177.pdf pdf_icon

TFN5177

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/3TFN5177 Description The TFN5177 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol OutlineTFN5177 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Features Low current consumption and high gain: S21e2 = 12dB ( typ. ) at VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz S21e2 = 11dB ( t

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: KSC1730Y | FK2369A | HA9531 | TI807 | 3DA3852R | SRA2211E | CX917

 

 
Back to Top

 


 
.