Справочник транзисторов. TFN5177

 

Биполярный транзистор TFN5177 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TFN5177
   Маркировка: T1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для TFN5177

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN5177 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  tinfar
 tfn5177.pdf pdf_icon

TFN5177

Tin Far Electronic CO.,LTDPage No: 1/3TFN5177 Description The TFN5177 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol OutlineTFN5177 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Features Low current consumption and high gain: S21e2 = 12dB ( typ. ) at VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz S21e2 = 11dB ( t

Другие транзисторы... TS13003CK , TS13003CT , TS13003HVCT , TS13003MVCT , TS13005CI , TS13005CZ , TS13007BCZ , TS13009CZ , A1015 , TFN807 , TFN817 , TFN847 , TFNA06 , TFNA14 , TFNH10 , TG50 , TG51 .

 

 
Back to Top

 


 
.