TFN5177. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN5177

Маркировка: T1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN5177

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN5177 даташит

 ..1. Size:151K  tinfar
 tfn5177.pdf pdf_icon

TFN5177

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/3 TFN5177 Description The TFN5177 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline TFN5177 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Features Low current consumption and high gain S21e 2 = 12dB ( typ. ) at VCE= 2 V, IC= 7 mA, f = 2 GHz S21e 2 = 11dB ( t

Другие транзисторы: TS13003CK, TS13003CT, TS13003HVCT, TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TIP41, TFN807, TFN817, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51