TFN817 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TFN817
Código: 8F
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT23
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TFN817 datasheet
tfn817.pdf
Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN817 Description The TFN817 is designed for general purpose switching and amplification applications. Complementary to TFN807. Features High current (max. 500mA) Low voltage (max 45V). Symbol Outline TFN817 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit
Otros transistores... TS13003HVCT, TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, BC337, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53
History: BFG92A | NJVMJD253T4G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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