TFN817 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TFN817

Código: 8F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de TFN817

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TFN817 datasheet

 ..1. Size:126K  tinfar
tfn817.pdf pdf_icon

TFN817

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN817 Description The TFN817 is designed for general purpose switching and amplification applications. Complementary to TFN807. Features High current (max. 500mA) Low voltage (max 45V). Symbol Outline TFN817 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit

Otros transistores... TS13003HVCT, TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, BC337, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53