TFN817. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TFN817

Маркировка: 8F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для TFN817

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TFN817 даташит

 ..1. Size:126K  tinfar
 tfn817.pdf pdf_icon

TFN817

Tin Far Electronic CO.,LTD Page No 1/4 TFN817 Description The TFN817 is designed for general purpose switching and amplification applications. Complementary to TFN807. Features High current (max. 500mA) Low voltage (max 45V). Symbol Outline TFN817 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Limits Unit

Другие транзисторы: TS13003HVCT, TS13003MVCT, TS13005CI, TS13005CZ, TS13007BCZ, TS13009CZ, TFN5177, TFN807, BC337, TFN847, TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53