TH430 Todos los transistores

 

TH430 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TH430
   Código: TH430
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 330 W
   Tensión colector-base (Vcb): 110 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 250 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 23
   Paquete / Cubierta: M177
 

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TH430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  st
 sd1728 th430.pdf pdf_icon

TH430

SD1728 (TH430)RF & Microwave transistorsHF SSB applicationFeatures 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gainDescriptionThe SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177Epoxy sealedtransistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

 ..2. Size:144K  st
 th430.pdf pdf_icon

TH430

SD1728 (TH430)RF & Microwave transistorsHF SSB applicationFeatures 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gainDescriptionThe SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177Epoxy sealedtransistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

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History: CSC1674R | KRA742U | RN1116 | DSCQ001 | MJD45H11 | KST9012 | DT4112

 

 
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