Справочник транзисторов. TH430

 

Биполярный транзистор TH430 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TH430
   Маркировка: TH430
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 23
   Корпус транзистора: M177
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

TH430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  st
 sd1728 th430.pdf pdf_icon

TH430

SD1728 (TH430)RF & Microwave transistorsHF SSB applicationFeatures 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gainDescriptionThe SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177Epoxy sealedtransistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

 ..2. Size:144K  st
 th430.pdf pdf_icon

TH430

SD1728 (TH430)RF & Microwave transistorsHF SSB applicationFeatures 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gainDescriptionThe SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177Epoxy sealedtransistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.