TH430. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TH430

Маркировка: TH430

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 23

Корпус транзистора: M177

 Аналоги (замена) для TH430

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TH430 даташит

 ..1. Size:149K  st
 sd1728 th430.pdf pdf_icon

TH430

SD1728 (TH430) RF & Microwave transistors HF SSB application Features 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gain Description The SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177 Epoxy sealed transistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

 ..2. Size:144K  st
 th430.pdf pdf_icon

TH430

SD1728 (TH430) RF & Microwave transistors HF SSB application Features 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gain Description The SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177 Epoxy sealed transistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

Другие транзисторы: TFNA06, TFNA14, TFNH10, TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TIP42C, TH513, TH560, TH562, THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3