Биполярный транзистор TH430 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TH430
Маркировка: TH430
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 23
Корпус транзистора: M177
TH430 Datasheet (PDF)
sd1728 th430.pdf
SD1728 (TH430)RF & Microwave transistorsHF SSB applicationFeatures 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gainDescriptionThe SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177Epoxy sealedtransistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and
th430.pdf
SD1728 (TH430)RF & Microwave transistorsHF SSB applicationFeatures 13.56MHz 44V Gold metallization Common emitter POUT = 200W with 15dB gainDescriptionThe SD1728 is a 50V epitaxial silicon NPN planar M177Epoxy sealedtransistor designed primarily for SSB and Industrial HF pplications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050