TH562 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TH562
Código: SD1731
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 233 W
Tensión colector-base (Vcb): 110 V
Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 330 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: SOT121
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TH562 Datasheet (PDF)
th562.pdf

HG RF POWER TRANSISTORTH562SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORSD1731 (TH562)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.EFFICIENCY 40%.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P = 220 W PEP WITH 13 dB GAINOUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1731 TH562PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: UN611E | ECG47 | MMBT2907AWT1 | DTC015TEB | 2SC5150 | DT600-450 | 2SD882S
History: UN611E | ECG47 | MMBT2907AWT1 | DTC015TEB | 2SC5150 | DT600-450 | 2SD882S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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