Справочник транзисторов. TH562

 

Биполярный транзистор TH562 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TH562
   Маркировка: SD1731
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 233 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 330 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SOT121
 

 Аналог (замена) для TH562

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TH562 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  hgsemi
 th562.pdf pdf_icon

TH562

HG RF POWER TRANSISTORTH562SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORSD1731 (TH562)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.EFFICIENCY 40%.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P = 220 W PEP WITH 13 dB GAINOUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1731 TH562PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1

Другие транзисторы... TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , BC557 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY .

History: 2SD1904S | 40311V2 | BFG34 | 2SC2458GR | 2SC512 | BFR106

 

 
Back to Top

 


 
.