Биполярный транзистор TH562 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TH562
Маркировка: SD1731
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 233 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 330 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: SOT121
TH562 Datasheet (PDF)
..1. Size:264K hgsemi
th562.pdf
th562.pdf
HG RF POWER TRANSISTORTH562SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORSD1731 (TH562)RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.OPTIMIZED FOR SSB.30 MHz.50 VOLTS.EFFICIENCY 40%.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P = 220 W PEP WITH 13 dB GAINOUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1731 TH562PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050