TH562. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TH562

Маркировка: SD1731

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 233 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 330 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT121

 Аналоги (замена) для TH562

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TH562 даташит

 ..1. Size:264K  hgsemi
 th562.pdf pdf_icon

TH562

HG RF POWER TRANSISTOR TH562 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR SD1731 (TH562) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .EFFICIENCY 40% .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 220 W PEP WITH 13 dB GAIN OUT .500 4LFL (M174) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1731 TH562 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1

Другие транзисторы: TG50, TG51, TG52, TG53, TG55, TH430, TH513, TH560, A1941, THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY