Справочник транзисторов. TH562

 

TH562 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: TH562

Маркировка: SD1731

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 233 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 330 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: SOT121

Аналоги (замена) для TH562

TH562 Datasheet (PDF)

1.1. th562.pdf Size:264K _update

TH562
TH562

HG RF POWER TRANSISTOR TH562 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR SD1731 (TH562) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .EFFICIENCY 40% .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 220 W PEP WITH 13 dB GAIN OUT .500 4LFL (M174) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1731 TH562 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1

Другие транзисторы... TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , BC148 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY .

 


TH562
  TH562
  TH562
  TH562
 
TH562
  TH562
  TH562
  TH562
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: MJE13003DK3 | MJE13003DK1 | MJE13003DI5 | MJE13003DI3 | MJE13003DI1 | MJE13003DG5 | MJE13003DG1 | MJE13002VH1 | MJE13002I7 | MJE13002I6 | MJE13002I5 | MJE13002H6 | MJE13002H5 | MJE13002H1 | MJE13002G6 | MJE13002G5 | MJE13002G2 | MJE13002G1 | MJE13002G | MJE13002F6 |


Введите не менее 2-х символов!