THA42TTD03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: THA42TTD03

Código: 1D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 310 V

Tensión colector-emisor (Vce): 305 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: WBFBP-03A

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THA42TTD03 Datasheet (PDF)

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA42TTD03 TRANSISTOR C DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03A (1.6×1.6×0.5) TOP unit: mm FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Ta=25℃) B E APPLICATION C 1. BASE High Voltage Amplifier 2. EMITTER For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP

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