THA42TTD03 Todos los transistores

 

THA42TTD03 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: THA42TTD03
   Código: 1D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 310 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 305 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: WBFBP-03A
 

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THA42TTD03 Datasheet (PDF)

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THA42TTD03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA42TTD03 TRANSISTOR C DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03A (1.61.60.5) TOP unit: mm FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Ta=25) B E APPLICATION C 1. BASE High Voltage Amplifier 2. EMITTER For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP

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History: MJE13003HK5 | 2SD905

 

 
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