THA42TTD03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: THA42TTD03

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 310 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 305 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: WBFBP-03A

 Аналоги (замена) для THA42TTD03

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

THA42TTD03 даташит

 ..1. Size:171K  jiangsu
 tha42ttd03.pdf pdf_icon

THA42TTD03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA42TTD03 TRANSISTOR C DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03A (1.6 1.6 0.5) TOP unit mm FEATURES Power dissipation PCM 0.15 W (Ta=25 ) B E APPLICATION C 1. BASE High Voltage Amplifier 2. EMITTER For portable equipment (i.e. Mobile phone,MP

Другие транзисторы: TG52, TG53, TG55, TH430, TH513, TH560, TH562, THA15, 2N2222A, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, TSD1664CY, TSD1760CP, TSD1858CH