TSD1664CY Todos los transistores

 

TSD1664CY . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSD1664CY
   Código: D1664
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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TSD1664CY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  taiwansemi
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TSD1664CY

TSD1664 Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Collector BVCEO 32V 3. Emitter BVCBO 40V IC 1A VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1132 TSD1664CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 Reel TSD1664CY

 9.1. Size:3277K  truesemi
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TSD1664CY

TSD16N25M250V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis =10V 16A,250V,Max.R=0.25 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology.DS(on)This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalancheand comm

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