TSD1664CY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD1664CY

Маркировка: D1664

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для TSD1664CY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD1664CY даташит

 ..1. Size:199K  taiwansemi
 tsd1664cy.pdf pdf_icon

TSD1664CY

TSD1664 Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Collector BVCEO 32V 3. Emitter BVCBO 40V IC 1A VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1132 TSD1664CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 Reel TSD1664CY

 9.1. Size:3277K  truesemi
 tsd16n25m.pdf pdf_icon

TSD1664CY

TSD16N25M 250V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s =10V 16A,250V,Max.R =0.25 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. DS(on) This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and comm

Другие транзисторы: TH562, THA15, THA42TTD03, THA92TTD03, TIP110A, TIP112L-TN3, TIP35CW, TIP36CW, BC327, TSD1760CP, TSD1858CH, TSD2098ACY, TSD2118CP, TSD2150A, TSD2444CX, TSD882CK, TSD882S