Справочник транзисторов. TSD1664CY

 

Биполярный транзистор TSD1664CY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TSD1664CY
   Маркировка: D1664
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для TSD1664CY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSD1664CY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  taiwansemi
 tsd1664cy.pdf pdf_icon

TSD1664CY

TSD1664 Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Collector BVCEO 32V 3. Emitter BVCBO 40V IC 1A VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1132 TSD1664CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 Reel TSD1664CY

 9.1. Size:3277K  truesemi
 tsd16n25m.pdf pdf_icon

TSD1664CY

TSD16N25M250V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis =10V 16A,250V,Max.R=0.25 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology.DS(on)This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalancheand comm

Другие транзисторы... TH562 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , BC327 , TSD1760CP , TSD1858CH , TSD2098ACY , TSD2118CP , TSD2150A , TSD2444CX , TSD882CK , TSD882S .

History: DC5405 | 2N2086

 

 
Back to Top

 


 
.