TSC966CW Todos los transistores

 

TSC966CW . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSC966CW
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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TSC966CW Datasheet (PDF)

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TSC966CW

TSC966 NPN Silicon Planar High Voltage Transistor TO-92 SOT-223 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Base 2. Collector 2. Collector BVCBO 600V 3. Base 3. Emitter BVCEO 400V IC 300mA VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 50mA / 5mA Features Ordering Information High BVceo, BVcbo Part No. Package Packing High current gain TSC966CT B0 TO-92 1K

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History: NSBC113EDXV6T1G

 

 
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