TSC966CW - описание и поиск аналогов

 

TSC966CW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSC966CW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для TSC966CW

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSC966CW даташит

 8.1. Size:145K  taiwansemi
 tsc966.pdf pdf_icon

TSC966CW

TSC966 NPN Silicon Planar High Voltage Transistor TO-92 SOT-223 Pin Definition Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Base 2. Collector 2. Collector BVCBO 600V 3. Base 3. Emitter BVCEO 400V IC 300mA VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 50mA / 5mA Features Ordering Information High BVceo, BVcbo Part No. Package Packing High current gain TSC966CT B0 TO-92 1K

Другие транзисторы... TSC2411CX , TSC4505CX , TSC5401CT , TSC5904CX , TSC5988CT , TSC873CT , TSC873CW , TSC966CT , 13005 , TSB1132CY , TSB1184ACP , TSB1184CP , TSB1386CY , TSB1412CP , TSB1424ACW , TSB1424CY , TSB1424CX .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.