TSB1386CY Todos los transistores

 

TSB1386CY . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSB1386CY
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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TSB1386CY Datasheet (PDF)

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TSB1386CY

TSB1386 Low Frequency PNP Transistor SOT-89 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Base BVCBO -30V 2. Collector 3. Emitter BVCEO -20V IC -5A VCE(SAT) -0.35V @ IC / IB = -4A / -100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = -4A / -100mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1386CY RM SOT-89 1Kpcs / 7

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History: BD318 | BCX71RK

 

 
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