TSB1386CY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSB1386CY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для TSB1386CY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSB1386CY даташит

 ..1. Size:313K  taiwansemi
 tsb1386cy.pdf pdf_icon

TSB1386CY

Другие транзисторы: TSC5988CT, TSC873CT, TSC873CW, TSC966CT, TSC966CW, TSB1132CY, TSB1184ACP, TSB1184CP, 2SC5198, TSB1412CP, TSB1424ACW, TSB1424CY, TSB1424CX, TSB1590CX, TSB772CK, TSB772SCT, TPV385