Справочник транзисторов. TSB1386CY

 

Биполярный транзистор TSB1386CY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TSB1386CY
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для TSB1386CY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSB1386CY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  taiwansemi
 tsb1386cy.pdf pdf_icon

TSB1386CY

TSB1386 Low Frequency PNP Transistor SOT-89 PRODUCT SUMMARY Pin Definition: 1. Base BVCBO -30V 2. Collector 3. Emitter BVCEO -20V IC -5A VCE(SAT) -0.35V @ IC / IB = -4A / -100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) -0.35 @ IC / IB = -4A / -100mA (Typ.) Part No. Package Packing Excellent DC current gain characteristics TSB1386CY RM SOT-89 1Kpcs / 7

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.