2N676 Todos los transistores

 

2N676 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N676
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 140 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO3

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2N676 Datasheet (PDF)

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