Справочник транзисторов. 2N676

 

Биполярный транзистор 2N676 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N676
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2N676

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N676 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:142K  1
2n6766.pdfpdf_icon

2N676

 0.2. Size:140K  1
2n6768.pdfpdf_icon

2N676

 0.3. Size:140K  1
2n6764.pdfpdf_icon

2N676

 0.4. Size:146K  international rectifier
2n6762 irf430.pdfpdf_icon

2N676

PD - 90336FIRF430REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6762HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6762THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF430 500V 1.5 4.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

Другие транзисторы... 2N6739 , 2N674 , 2N6740 , 2N675 , 2N6751 , 2N6752 , 2N6753 , 2N6754 , C1815 , 2N677 , 2N6771 , 2N6772 , 2N6773 , 2N6774 , 2N6775 , 2N6776 , 2N677A .

History: 2N5935

 

 
Back to Top

 


 
.