TPV5051 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPV5051  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 97 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: BMA2

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TPV5051 datasheet

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TPV5051

TPV5051 SILICON NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR 50 W, in the 470 860 MHz Range ________________________________________________ The silicon n-p-n transistor is designed for AB Push Pull, Common Emitter from 470 to 860 MHz Applications. Features Power Gain 6.5 dB Min Output Power 50 W Efficiency 45 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Unit Collector

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