TPV5051 Todos los transistores

 

TPV5051 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPV5051
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 97 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 40 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: BMA2
 

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TPV5051 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  syntez microelectronics
 tpv5051.pdf pdf_icon

TPV5051

TPV5051SILICON NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR50 W, in the 470 860 MHz Range ________________________________________________The silicon n-p-n transistor is designed for ABPush Pull, Common Emitter from 470 to 860 MHz Applications.Features: Power Gain: 6.5 dB Min Output Power: 50 W Efficiency: 45 % MinAbsolute Maximum RatingsParameters Sym Value UnitCollector

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History: 2SC3816 | 2N3741SMD | KSD227 | 2SC177 | 2SC2295 | NB011E | RN1965CT

 

 
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