TPV5051 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TPV5051  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 97 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: BMA2

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TPV5051

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TPV5051 даташит

 ..1. Size:202K  syntez microelectronics
 tpv5051.pdf pdf_icon

TPV5051

TPV5051 SILICON NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR 50 W, in the 470 860 MHz Range ________________________________________________ The silicon n-p-n transistor is designed for AB Push Pull, Common Emitter from 470 to 860 MHz Applications. Features Power Gain 6.5 dB Min Output Power 50 W Efficiency 45 % Min Absolute Maximum Ratings Parameters Sym Value Unit Collector

Другие транзисторы: TSB1424ACW, TSB1424CY, TSB1424CX, TSB1590CX, TSB772CK, TSB772SCT, TPV385, TPV394, 2SD669, TPV591, TPV593, TPV595, TPV595A, TPV596A, TPV597, TPR175, TSC123JNND03