TSA1036CX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA1036CX  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: SOT23

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TSA1036CX datasheet

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TSA1036CX

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

 9.1. Size:1826K  truesemi
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TSA1036CX

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 100A,200V,Max.RDS(on)=25m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

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