TSA1036CX Todos los transistores

 

TSA1036CX . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA1036CX
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

TSA1036CX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  taiwansemi
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TSA1036CX

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

 9.1. Size:1826K  truesemi
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TSA1036CX

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 100A,200V,Max.RDS(on)=25m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

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History: HS3404 | 2SC2865A | 2SD1021G | 2SA1724 | FMMT4248 | 2SB986 | 2N3057

 

 
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