TSA1036CX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSA1036CX  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TSA1036CX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TSA1036CX даташит

 ..1. Size:261K  taiwansemi
 tsa1036cx.pdf pdf_icon

TSA1036CX

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

 9.1. Size:1826K  truesemi
 tsa100n20m.pdf pdf_icon

TSA1036CX

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 100A,200V,Max.RDS(on)=25m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

Другие транзисторы: TSC136CZ, TSC1417, TSC143ENND03, TSC143TNND03, TSC144ENND03, TSC148DCI, TSC148DCZ, TSC148DCM, BC547, TSA114ENND03, TSA114TNND03, TSA124ENND03, TSA143ENND03, TSA143TNND03, TSA143ZNND03, TSA1765CW, TSA5888CY