NJVBUB323ZT4G Todos los transistores

 

NJVBUB323ZT4G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NJVBUB323ZT4G
   Código: BUB323Z
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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NJVBUB323ZT4G Datasheet (PDF)

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NJVBUB323ZT4G

BUB323ZNPN Silicon PowerDarlingtonHigh Voltage AutoprotectedD2PAK for Surface Mounthttp://onsemi.comThe BUB323Z is a planar, monolithic, high-voltage powerDarlington with a built-in active zener clamping circuit. This device isAUTOPROTECTEDspecifically designed for unclamped, inductive applications such asElectronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control.DARLINGT

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