NJVBUB323ZT4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJVBUB323ZT4G  📄📄 

Маркировка: BUB323Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJVBUB323ZT4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJVBUB323ZT4G даташит

 ..1. Size:83K  onsemi
 njvbub323zt4g.pdf pdf_icon

NJVBUB323ZT4G

BUB323Z NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount http //onsemi.com The BUB323Z is a planar, monolithic, high-voltage power Darlington with a built-in active zener clamping circuit. This device is AUTOPROTECTED specifically designed for unclamped, inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. DARLINGT

Другие транзисторы: NSV20101JT1G, NSV20200LT1G, NSV20201LT1G, NSV2029M3T5G, NJV4030PT1G, NJV4030PT3G, NJV4031NT1G, NJV4031NT3G, BDT88, NJVMJB41CT4G, NJVMJB42CT4G, NJVMJB44H11T4G, NJVMJB45H11T4G, NJVNJD2873T4G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G, NJW1302G