Справочник транзисторов. NJVBUB323ZT4G

 

Биполярный транзистор NJVBUB323ZT4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NJVBUB323ZT4G
   Маркировка: BUB323Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO263
 

 Аналог (замена) для NJVBUB323ZT4G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJVBUB323ZT4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
 njvbub323zt4g.pdf pdf_icon

NJVBUB323ZT4G

BUB323ZNPN Silicon PowerDarlingtonHigh Voltage AutoprotectedD2PAK for Surface Mounthttp://onsemi.comThe BUB323Z is a planar, monolithic, high-voltage powerDarlington with a built-in active zener clamping circuit. This device isAUTOPROTECTEDspecifically designed for unclamped, inductive applications such asElectronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control.DARLINGT

Другие транзисторы... NSV20101JT1G , NSV20200LT1G , NSV20201LT1G , NSV2029M3T5G , NJV4030PT1G , NJV4030PT3G , NJV4031NT1G , NJV4031NT3G , BC547 , NJVMJB41CT4G , NJVMJB42CT4G , NJVMJB44H11T4G , NJVMJB45H11T4G , NJVNJD2873T4G , NJVNJD35N04G , NJVNJD35N04T4G , NJW1302G .

 

 
Back to Top

 


 
.