Биполярный транзистор NJVBUB323ZT4G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NJVBUB323ZT4G
Маркировка: BUB323Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO263
Аналоги (замена) для NJVBUB323ZT4G
NJVBUB323ZT4G Datasheet (PDF)
..1. Size:83K onsemi
njvbub323zt4g.pdf
njvbub323zt4g.pdf
BUB323ZNPN Silicon PowerDarlingtonHigh Voltage AutoprotectedD2PAK for Surface Mounthttp://onsemi.comThe BUB323Z is a planar, monolithic, high-voltage powerDarlington with a built-in active zener clamping circuit. This device isAUTOPROTECTEDspecifically designed for unclamped, inductive applications such asElectronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control.DARLINGT
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
