2N699S Todos los transistores

 

2N699S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N699S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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2N699S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:403K  rca
 2n699.pdf pdf_icon

2N699S

 9.2. Size:198K  cdil
 2n699.pdf pdf_icon

2N699S

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 699TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCERCollector Emitter Voltage 80 VVCBOCollector Base Voltage 120 VVEBOEmitter Base Voltage 5VPDTota

 9.3. Size:57K  microsemi
 2n6989-2n6990.pdf pdf_icon

2N699S

TECHNICAL DATA MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/559 Devices Qualified Level JAN 2N6989 JANTX 2N6990 2N6989U JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS (1) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage (3) 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage (3) 75 Vdc TO- 116* VCBO Emitter-Base Voltage (3) 6.0 Vdc 2N6

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N2036 | 2SD72 | FH317 | BCW21M

 

 
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