2N699S - описание и поиск аналогов

 

2N699S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N699S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2N699S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N699S даташит

 9.1. Size:403K  rca
 2n699.pdf pdf_icon

2N699S

 9.2. Size:198K  cdil
 2n699.pdf pdf_icon

2N699S

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 2N 699 TO-39 Metal Can Package General Purpose Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCER Collector Emitter Voltage 80 V VCBO Collector Base Voltage 120 V VEBO Emitter Base Voltage 5V PD Tota

 9.3. Size:57K  microsemi
 2n6989-2n6990.pdf pdf_icon

2N699S

TECHNICAL DATA MULTIPLE (QUAD) NPN SILICON DUAL IN-LINE AND FLATPACK SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/559 Devices Qualified Level JAN 2N6989 JANTX 2N6990 2N6989U JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS (1) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage (3) 50 Vdc VCEO Collector-Base Voltage (3) 75 Vdc TO- 116* VCBO Emitter-Base Voltage (3) 6.0 Vdc 2N6

Другие транзисторы: 2N697A, 2N697S, 2N698, 2N6987, 2N6988, 2N699, 2N699A, 2N699B, B772, 2N70, 2N700, 2N700-18, 2N700A, 2N700A-18, 2N701, 2N702, 2N703

 

 

 

 

↑ Back to Top
.