NSVPZTA92T1G Todos los transistores

 

NSVPZTA92T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVPZTA92T1G
   Código: P2D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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NSVPZTA92T1G Datasheet (PDF)

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NSVPZTA92T1G

PZTA92T1G,NSVPZTA92T1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures Complement to PZTA42T1GSOT-223 PACKAGE NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringPNP SILICONUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableHIGH VOLTAGE TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSURFACE M

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NSVPZTA92T1G

PZTA92T1G,NSVPZTA92T1GHigh Voltage TransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Complement to PZTA42T1GSOT-223 PACKAGE NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringPNP SILICONUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableHIGH VOLTAGE TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSURFAC

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