NSVPZTA92T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSVPZTA92T1G

Código: P2D

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT223

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NSVPZTA92T1G datasheet

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NSVPZTA92T1G

PZTA92T1G, NSVPZTA92T1G High Voltage Transistor PNP Silicon www.onsemi.com Features Complement to PZTA42T1G SOT-223 PACKAGE NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring PNP SILICON Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable HIGH VOLTAGE TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SURFACE M

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NSVPZTA92T1G

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