NSVPZTA92T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVPZTA92T1G

Маркировка: P2D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для NSVPZTA92T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVPZTA92T1G даташит

 ..1. Size:145K  onsemi
 pzta92t1g nsvpzta92t1g.pdf pdf_icon

NSVPZTA92T1G

PZTA92T1G, NSVPZTA92T1G High Voltage Transistor PNP Silicon www.onsemi.com Features Complement to PZTA42T1G SOT-223 PACKAGE NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring PNP SILICON Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable HIGH VOLTAGE TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SURFACE M

 ..2. Size:109K  onsemi
 nsvpzta92t1g.pdf pdf_icon

NSVPZTA92T1G

PZTA92T1G, NSVPZTA92T1G High Voltage Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Complement to PZTA42T1G SOT-223 PACKAGE NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring PNP SILICON Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable HIGH VOLTAGE TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SURFAC

Другие транзисторы: NSVMUN5312DW1T3G, NSVMUN5314DW1T3G, NSVMUN5316DW1T1G, NSVMUN5331DW1T1G, NSVMUN5332DW1T1G, NSVMUN5333DW1T1G, NSVMUN5333DW1T3G, NSVMUN5334DW1T1G, TIP41, NSVBCP53-16T3G, NSVBCP56-10T3G, NSVBCP69T1G, NSVBCW32LT1G, NSVBCW68GLT1G, NSVMSD42WT1G, NSVMUN2112T1G, NSVMUN2212T1G