NSV9435T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSV9435T1G

Código: 9435R

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.56 W

Tensión colector-base (Vcb): 45 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 110 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT223

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NSV9435T1G datasheet

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NSV9435T1G

NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

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NSV9435T1G

NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

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