Справочник транзисторов. NSV9435T1G

 

Биполярный транзистор NSV9435T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSV9435T1G
   Маркировка: 9435R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.56 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSV9435T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  onsemi
 nsv9435t1g.pdf pdf_icon

NSV9435T1G

NSB9435T1G,NSV9435T1GHigh Current Bias ResistorTransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJTVCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcIC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTShFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 AdcVCE(sat) = 0.275 VOLTS= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

 ..2. Size:219K  onsemi
 nsb9435t1g nsv9435t1g.pdf pdf_icon

NSV9435T1G

NSB9435T1G,NSV9435T1GHigh Current Bias ResistorTransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJTVCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcIC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTShFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 AdcVCE(sat) = 0.275 VOLTS= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: ZTX4403K | HA7631 | CMXT2207

 

 
Back to Top

 


 
.