NSV9435T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSV9435T1G

Маркировка: 9435R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.56 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для NSV9435T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV9435T1G даташит

 ..1. Size:143K  onsemi
 nsv9435t1g.pdf pdf_icon

NSV9435T1G

NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

 ..2. Size:219K  onsemi
 nsb9435t1g nsv9435t1g.pdf pdf_icon

NSV9435T1G

NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

Другие транзисторы: NSV60100DMTWTBG, NSV60101DMTWTBG, NSV60200LT1G, NSV60201LT1G, NSV60600MZ4T1G, NSV60600MZ4T3G, NSV60601MZ4T1G, NSV60601MZ4T3G, 2SD1047, NSVBC817-16LT1G, NSVBC818-40LT1G, NSVBC846BM3T5G, NSVBC847BDW1T2G, NSVBC847BLT3G, NSVBC847BTT1G, NSVBC848BWT1G, NSVBC848CDW1T1G