A1175 Todos los transistores

 

A1175 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1175
   Código: FR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
   Paquete / Cubierta: TO92S
 

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A1175 Datasheet (PDF)

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A1175

A1175PNP Silicon.APPLICATIONFor Driver Stage of AF Amplifier Applications.MAXIMUM RATINGSTa=25PARAMETER SYMBOL RATING UNITVCBO -60 VCollector-base voltageVCEO -50 VCollector-emitter voltageVEBO -5 VEmitter-base voltage Ic -0.1 ACollector currentIb -0.02 ABase currentPc 0.25Collector Power Dissipation WTj 150Juncti

 0.1. Size:41K  fairchild semi
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A1175

KSA1175Low Frequency Amplifier Collector-Base Voltage : VCBO= -60V Complement to KSC2785TO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BasePNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -

 0.2. Size:222K  nec
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A1175

 0.3. Size:205K  lge
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A1175

KSA1175TO-92S Transistor (PNP)TO-92S 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features Collector-Base Voltage : VCBO= -60V Complement to KSC2785 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current (DC) -0.15 A Dim

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