A1175 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A1175  📄📄 

Código: FR

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: TO92S

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A1175 datasheet

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A1175

A1175 PNP Silicon . APPLICATION For Driver Stage of AF Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta=25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT VCBO -60 V Collector-base voltage VCEO -50 V Collector-emitter voltage VEBO -5 V Emitter-base voltage Ic -0.1 A Collector current Ib -0.02 A Base current Pc 0.25 Collector Power Dissipation W Tj 150 Juncti

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A1175

KSA1175 Low Frequency Amplifier Collector-Base Voltage VCBO= -60V Complement to KSC2785 TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -

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A1175

KSA1175 TO-92S Transistor (PNP) TO-92S 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 Features Collector-Base Voltage VCBO= -60V Complement to KSC2785 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current (DC) -0.15 A Dim

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