A1357 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A1357 📄📄

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 170 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 62 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO126

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de A1357

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

A1357 datasheet

..1. Size:373K fgx
a1357.pdf pdf_icon

A1357 PNP silicon APPLICATION Audio Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -20 V Emitter-base voltage VEBO -8 V TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base Collector current IC -5 A Peak Collector current ICM -8 A Emitter

0.1. Size:176K toshiba
2sa1357.pdf pdf_icon

0.2. Size:76K cdil
csa1357.pdf pdf_icon

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR CSA1357 TO-126 Plastic Package E C B Strobe Flash and Audio Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL Value UNIT VCBO Collector Base Voltage 35 V Collector Emitter Voltage VCEO 20 V Emitter Base Voltage VEBO 8.

0.3. Size:251K lzg
2sa1357 3ca1357.pdf pdf_icon

2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , Purpose Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat) Features High I ,low V . C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO

Otros transistores... A1297, A1298, A1300, A1309, A1313, A1317, A1317S, A1320, D965, A1480, A1504, A1505, A1517, A1585, A1585S, A1586, A1587

A1357 Datasheet. Equivalente