A1480 Todos los transistores

 

A1480 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A1480
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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A1480 Datasheet (PDF)

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A1480

A1480PNP silicon APPLICATIONHigh-Definiton CRT Display Video Output Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltageVCBO -300 VCollector-emitter voltageVCEO -300 VTO-126Emitter-base voltage 1VEBO -5 V1. Emitter 2.Collector 3.BaseCollector currentIC -100 mAPeak Collector cur

 0.1. Size:175K  sanyo
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A1480

Ordering number:EN2254PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1480/2SC3790High-Definiton CRT DisplayVideo Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCEO 300V).unit:mm Small reverse transfer capacitance and excellent high2042Afrequency characteristic[2SA1480/2SC3790]: Cre=1.8pF (NPN), 2.3pF (PNP). Adoption of MBIT process.

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A1480

2SA1480(3CA1480) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High-definition CRT display video output applications. : Features: High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolu

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History: BSS77 | IDD1314

 

 
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