A1480 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1480  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1480

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1480 даташит

 ..1. Size:322K  fgx
 a1480.pdf pdf_icon

A1480

A1480 PNP silicon APPLICATION High-Definiton CRT Display Video Output Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -300 V Collector-emitter voltage VCEO -300 V TO-126 Emitter-base voltage 1 VEBO -5 V 1. Emitter 2.Collector 3.Base Collector current IC -100 mA Peak Collector cur

 0.1. Size:175K  sanyo
 2sa1480 2sc3790.pdf pdf_icon

A1480

Ordering number EN2254 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1480/2SC3790 High-Definiton CRT Display Video Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage (VCEO 300V). unit mm Small reverse transfer capacitance and excellent high 2042A frequency characteristic [2SA1480/2SC3790] Cre=1.8pF (NPN), 2.3pF (PNP). Adoption of MBIT process.

 0.2. Size:278K  lzg
 2sa1480 3ca1480.pdf pdf_icon

A1480

2SA1480(3CA1480) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose High-definition CRT display video output applications. Features High breakdown voltage, small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic. /Absolu

Другие транзисторы: A1298, A1300, A1309, A1313, A1317, A1317S, A1320, A1357, BC639, A1504, A1505, A1517, A1585, A1585S, A1586, A1587, A1588